抑制性突觸后電位
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抑制性突觸后電位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突觸前膜釋放抑制性遞質（抑制性中間神經元釋放的遞質），導致突觸后膜主要對Cl-通透性增加，Cl-內流產生局部超極化電位。
特點：（1）突觸前膜釋放遞質是Ca2+內流引發的；（2）遞質是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；（3）IPSP是局部電位，而不是動作電位；（4）IPSP是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關。
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出自A+醫學百科 “抑制性突觸后電位”條目 http://www.ekpbm.cn/w/%E6%8A%91%E5%88%B6%E6%80%A7%E7%AA%81%E8%A7%A6%E5%90%8E%E7%94%B5%E4%BD%8D 轉載請保留此鏈接
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